薄膜电容器的介电强度是其核心参数之一,直接决定了其耐压能力和可靠性。
介电强度指的是电介质材料在击穿前所能承受的电场强度,单位为伏特每单位厚度(V/μm或V/m)。它反映了材料作为绝缘体的质量,介电强度越高,绝缘性能越好。测试时,通常将薄膜置于两极间,逐渐升高电压直至发生击穿,此时的电压值即为击穿电压。
影响因素方面,介电强度与材料本身(如聚丙烯PP、聚酯PET)的纯度、致密性密切相关。制造工艺中的缺陷(如针孔、微裂纹)会显著降低其值。此外,环境因素(如温度、湿度)也会影响其长期稳定性。
实际应用中,为确保安全,工作电压通常设计为击穿电压的一半左右。例如,一氧化硅(SiO)薄膜的介电强度约为2 MV/cm,而二氧化硅(SiO₂)薄膜则可高达10 MV/cm。选择时需根据电路需求(如电压等级、频率)匹配介电强度合适的材料。
薄膜电容器的介电强度会随温度升高而降低。这是因为高温会加速内部介质材料的老化,同时增加电子活动,导致绝缘电阻下降,从而降低了其承受电压的能力。因此,在高温环境下使用时,必须相应降低其工作电压以确保安全。
薄膜电容器的电压降额标准通常建议在85℃以上时,每升高1℃需降低额定电压的1.3%。这意味着在高温环境下,电容器的实际工作电压必须相应降低,以确保其可靠性和寿命。
例如,一个额定电压为100V的薄膜电容器,在85℃时仍可工作于100%额定电压;当温度升至86℃时,其工作电压应降至98.7V(100V × 98.7%);87℃时为97.4V,以此类推。
薄膜电容器的额定电压会随温度升高而下降,这是其材料特性决定的。因此,在高温环境下使用时,必须对电容器的电压进行降额处理,以确保其可靠性和寿命。
电压降额标准:
通常建议在85℃以上时,每升高1℃,需降低额定电压的1.3%。例如,一个额定电压为100V的薄膜电容器,在85℃时仍可工作于100%额定电压;当温度升至86℃时,其工作电压应降至98.7V(100V × 98.7%);87℃时为97.4V,以此类推。
实际应用建议:
留足余量:选择电容器时,其额定电压应留有充分余量,以应对温度波动带来的电压降额需求。
监测温升:在高频或脉冲电流条件下,电容器自身会发热,需确保其温升不超过允许范围(如聚丙烯电容允许自身温升小于5℃)。

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